IPB70N04S3-07

制造商编号:
IPB70N04S3-07
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
规格说明书:
IPB70N04S3-07说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: OptiMOS™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6.2 毫欧 @ 70A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 40 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2700 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 79W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3-2
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 1,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
BUK9609-40B,118 Nexperia USA Inc. ¥13.52000 类似
PSMN8R0-40BS,118 Nexperia USA Inc. ¥11.75000 类似

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IPB70N04S3-07

型号:IPB70N04S3-07

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

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