货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥4.114895 | ¥4.11 |
10 | ¥3.50165 | ¥35.02 |
100 | ¥2.615637 | ¥261.56 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Toshiba(东芝) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | - |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | - |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | - |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | - |
功率 - 最大值: | - |
工作温度: | - |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 6-WDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装: | 6-UDFN(2x2) |
标准包装: | 3,000 |
SSM6L61NU,LF
型号:SSM6L61NU,LF
品牌:Toshiba东芝
描述:MOSFET N/P-CH 20V 4A UDFN6
库存:0
单价:
1+: | ¥4.114895 |
10+: | ¥3.50165 |
100+: | ¥2.615637 |
500+: | ¥2.054848 |
1000+: | ¥1.587836 |
3000+: | ¥1.447748 |
6000+: | ¥1.354336 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.11