货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 250mA |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 2 欧姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 0.3nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 30pF @ 25V |
功率 - 最大值: | 310mW |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装: | SOT-23-3 |
标准包装: | 10,000 |
DMN63D1LDW-13
型号:DMN63D1LDW-13
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00