IDC04S60CEX1SA1

制造商编号:
IDC04S60CEX1SA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
DIODE SIC 600V 4A SAWN WAFER
规格说明书:
IDC04S60CEX1SA1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: CoolSiC™+
包装: 散装
零件状态: 停产
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 4A(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.9 V @ 4 A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: 130pF @ 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 模具
供应商器件封装: 模具
工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C
标准包装: 1

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IDC04S60CEX1SA1

型号:IDC04S60CEX1SA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:DIODE SIC 600V 4A SAWN WAFER

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