FQNL1N50BBU

制造商编号:
FQNL1N50BBU
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3
规格说明书:
FQNL1N50BBU说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

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规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: QFET®
包装: 散装
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9 欧姆 @ 135mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 150 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.5W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-92-3
封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线)
标准包装: 500

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FQNL1N50BBU

型号:FQNL1N50BBU

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3

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