货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥6.689261 | ¥6.69 |
10 | ¥5.757986 | ¥57.58 |
100 | ¥4.302761 | ¥430.28 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | IXYS(艾赛斯) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 800 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | - |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 0V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 380 欧姆 @ 20mA,0V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | - |
Vgs(最大值): | ±15V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 20 pF @ 25 V |
FET 功能: | 耗尽模式 |
功率耗散(最大值): | 400mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 110°C(TA) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-23 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装: | 3,000 |
CPC3982TTR
型号:CPC3982TTR
品牌:IXYS艾赛斯
描述:MOSFET N-CH 800V SOT23
库存:0
单价:
1+: | ¥6.689261 |
10+: | ¥5.757986 |
100+: | ¥4.302761 |
500+: | ¥3.380713 |
1000+: | ¥2.612393 |
3000+: | ¥2.381887 |
6000+: | ¥2.228233 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥6.69