DMN3190LDW-7

制造商编号:
DMN3190LDW-7
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
规格说明书:
DMN3190LDW-7说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.774491 4.77
10 3.533621 35.34
100 1.998572 199.86

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 190 毫欧 @ 1.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 87pF @ 20V
功率 - 最大值: 320mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: SOT-363
标准包装: 3,000

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DMN3190LDW-7

型号:DMN3190LDW-7

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

库存:0

单价:

1+: ¥4.774491
10+: ¥3.533621
100+: ¥1.998572
500+: ¥1.323479
1000+: ¥1.014666
3000+: ¥0.882323
6000+: ¥0.794095

货期:1-2天

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