BAS1602WH6327XTSA1

制造商编号:
BAS1602WH6327XTSA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
DIODE GEN PURP 80V 200MA SCD80-2
规格说明书:
BAS1602WH6327XTSA1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V @ 150 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr): 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容: 2pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-80
供应商器件封装: SCD-80
工作温度 - 结: 150°C(最大)
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
BAS116LT1G onsemi ¥2.38000 类似

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BAS1602WH6327XTSA1

型号:BAS1602WH6327XTSA1

品牌:Infineon英飞凌

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