货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 停产 |
二极管类型: | 标准 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): | 80 V |
电流 - 平均整流 (Io): | 200mA(DC) |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.25 V @ 150 mA |
速度: | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
反向恢复时间 (trr): | 4 ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 1 µA @ 75 V |
不同 Vr、F 时电容: | 2pF @ 0V,1MHz |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | SC-80 |
供应商器件封装: | SCD-80 |
工作温度 - 结: | 150°C(最大) |
标准包装: | 3,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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BAS116LT1G | onsemi | ¥2.38000 | 类似 |
BAS1602WH6327XTSA1
型号:BAS1602WH6327XTSA1
品牌:Infineon英飞凌
描述:DIODE GEN PURP 80V 200MA SCD80-2
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00