货期: 国内(1~2天)
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥72.089839 | ¥72.09 |
10 | ¥64.78636 | ¥647.86 |
100 | ¥53.079408 | ¥5307.94 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | HEXFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 40 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 57A(Ta),545A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 0.6 毫欧 @ 195A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3.9V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 562 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | 40V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 17890 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 3.8W(Ta),340W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | DirectFET™ 等距 L8 |
封装/外壳: | DirectFET™ 等距 L8 |
标准包装: | 4,000 |
AUIRF8739L2TR
型号:AUIRF8739L2TR
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 40V 57A DIRECTFET
库存:4188
单价:
1+: | ¥72.089839 |
10+: | ¥64.78636 |
100+: | ¥53.079408 |
500+: | ¥45.367063 |
4000+: | ¥45.367063 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥72.09