SI6435ADQ-T1-E3

制造商编号:
SI6435ADQ-T1-E3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
规格说明书:
SI6435ADQ-T1-E3说明书

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货期: 8周-10周

封装: 剪切带(CT)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.7A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 30 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC @ 5 V
FET 功能: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-TSSOP
封装/外壳: 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
标准包装: 3,000

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SI6435ADQ-T1-E3

型号:SI6435ADQ-T1-E3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP

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