DNA30E2200FE

制造商编号:
DNA30E2200FE
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4PAC
规格说明书:
DNA30E2200FE说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 63.311738 63.31
10 57.214316 572.14
100 47.370285 4737.03

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 2200 V
电流 - 平均整流 (Io): 30A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V @ 30 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 40 µA @ 2200 V
不同 Vr、F 时电容: 7pF @ 700V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-2,IPak
供应商器件封装: i4-PAC
工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C
标准包装: 25

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DNA30E2200FE

型号:DNA30E2200FE

品牌:IXYS艾赛斯

描述:DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4PAC

库存:0

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1+: ¥63.311738
10+: ¥57.214316
100+: ¥47.370285
500+: ¥41.249164
1000+: ¥37.658996

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