SQJ204EP-T1_GE3

制造商编号:
SQJ204EP-T1_GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L
规格说明书:
SQJ204EP-T1_GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 14.795948 14.80
10 13.272836 132.73
100 10.346844 1034.68

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A (Tc),60A (Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8.3 毫欧 @ 4A,10V,3 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC @ 10V,50nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1400pF @ 6V,3700pF @ 6V
功率 - 最大值: 27W(Tc),48W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 双通道不对称
标准包装: 3,000

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SQJ204EP-T1_GE3

型号:SQJ204EP-T1_GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L

库存:0

单价:

1+: ¥14.795948
10+: ¥13.272836
100+: ¥10.346844
500+: ¥8.547284
1000+: ¥6.74796
3000+: ¥6.747897

货期:1-2天

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