STB120N10F4

制造商编号:
STB120N10F4
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 100V D2PAK
规格说明书:
STB120N10F4说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
FET 类型: -
技术: -
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
Vgs(最大值): ±20V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 300W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK(TO-263)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 1,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRFS4410TRLPBF Infineon Technologies ¥34.87000 类似
IRFS4410ZTRLPBF Infineon Technologies ¥25.57000 类似

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型号:STB120N10F4

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 100V D2PAK

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