库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥10.021457 | ￥10.02 |
| 10 | ￥8.957144 | ￥89.57 |
| 100 | ￥6.982196 | ￥698.22 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | TI(德州仪器) |
| 系列: | NexFET™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 15A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 28 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.6V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 9.4nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 741pF @ 30V |
| 功率 - 最大值: | 2.1W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-SOIC |
| 标准包装: | 250 |
CSD88539NDT
型号：CSD88539NDT
品牌：TI德州仪器
描述：MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
库存：0
单价：
| 1+： | ￥10.021457 |
| 10+： | ￥8.957144 |
| 100+： | ￥6.982196 |
| 250+： | ￥6.52648 |
| 500+： | ￥5.76756 |
| 1000+： | ￥4.829373 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥10.02