货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥6.875764 | ¥6.88 |
10 | ¥6.082502 | ¥60.83 |
100 | ¥4.666319 | ¥466.63 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5.1A,3.1A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 40 毫欧 @ 8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 20.8nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1130pF @ 15V |
功率 - 最大值: | 1.24W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SO |
标准包装: | 2,500 |
DMC6040SSD-13
型号:DMC6040SSD-13
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO
库存:0
单价:
1+: | ¥6.875764 |
10+: | ¥6.082502 |
100+: | ¥4.666319 |
500+: | ¥3.688792 |
1000+: | ¥2.951071 |
2500+: | ¥2.674361 |
5000+: | ¥2.515087 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥6.88