STW21NM60ND

制造商编号:
STW21NM60ND
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3
规格说明书:
STW21NM60ND说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 57.293891 57.29
10 51.733598 517.34
100 42.830913 4283.09

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: FDmesh™ II
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 220 毫欧 @ 8.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 60 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1800 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 140W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IXFH28N60P3 IXYS ¥56.52000 类似
IXFH30N60P IXYS ¥81.94000 类似
IXTH30N60P IXYS ¥81.40000 类似
IRFP27N60KPBF Vishay Siliconix ¥78.87000 类似
IXTH30N60L2 IXYS ¥151.83000 类似

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STW21NM60ND

型号:STW21NM60ND

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3

库存:0

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1+: ¥57.293891
10+: ¥51.733598
100+: ¥42.830913

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