STW19NM60N

制造商编号:
STW19NM60N
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 600V 13A TO247
规格说明书:
STW19NM60N说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
434 22.408078 9725.11

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 285 毫欧 @ 6.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 35 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1000 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 110W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 600

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IXTH20N65X IXYS ¥78.87000 类似
IXFH28N60P3 IXYS ¥56.52000 类似
IXFX32N80Q3 IXYS ¥244.98000 类似
IRFP27N60KPBF Vishay Siliconix ¥78.87000 类似

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STW19NM60N

型号:STW19NM60N

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO247

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