库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥19.856411 | ￥19.86 |
| 10 | ￥17.875744 | ￥178.76 |
| 100 | ￥14.371093 | ￥1437.11 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | HEXFET® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 13A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 9 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 150µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 98 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 4340 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 3.6W（Ta），250W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-PQFN（5x6） |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 标准包装: | 4,000 |
IRFH5010TRPBF
型号：IRFH5010TRPBF
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥19.856411 |
| 10+： | ￥17.875744 |
| 100+： | ￥14.371093 |
| 500+： | ￥11.807067 |
| 1000+： | ￥11.244821 |
| 4000+： | ￥11.244821 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥19.86