库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥45.830139 | ￥45.83 |
| 10 | ￥41.173767 | ￥411.74 |
| 100 | ￥33.733146 | ￥3373.31 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 120A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 5.8 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 2.5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 80 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 4170 pF @ 50 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 178W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | LPTL |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装: | 1,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| PSMN7R0-100BS,118 | Nexperia USA Inc. | ¥23.96000 | 类似 |
| PSMN6R5-80BS,118 | Nexperia USA Inc. | ¥19.20000 | 类似 |
RJ1P12BBDTLL
型号：RJ1P12BBDTLL
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：MOSFET N-CH 100V 120A LPTL
库存：0
单价：
| 1+： | ￥45.830139 |
| 10+： | ￥41.173767 |
| 100+： | ￥33.733146 |
| 500+： | ￥28.716499 |
| 1000+： | ￥24.218742 |
| 2000+： | ￥23.58969 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥45.83