货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥30.076806 | ¥30.08 |
10 | ¥26.984577 | ¥269.85 |
100 | ¥21.687627 | ¥2168.76 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 40V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 60A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 9 毫欧 @ 7.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 25nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1550pF @ 25V |
功率 - 最大值: | 60W |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
供应商器件封装: | PowerFlat™(5x6) |
标准包装: | 3,000 |
STL15DN4F5
型号:STL15DN4F5
品牌:ST意法半导体
描述:MOSFET 2N-CH 40V 60A POWERFLAT
库存:0
单价:
1+: | ¥30.076806 |
10+: | ¥26.984577 |
100+: | ¥21.687627 |
500+: | ¥17.818549 |
1000+: | ¥16.198629 |
3000+: | ¥16.198629 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥30.08