货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥19.570439 | ¥19.57 |
10 | ¥17.618369 | ¥176.18 |
100 | ¥14.161961 | ¥1416.20 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Toshiba(东芝) |
系列: | DTMOSV |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 11.5A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 290 毫欧 @ 5.8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 450µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 25 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 730 pF @ 300 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 35W(Tc) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220SIS |
封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
标准包装: | 50 |
TK290A65Y,S4X
型号:TK290A65Y,S4X
品牌:Toshiba东芝
描述:MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS
库存:0
单价:
1+: | ¥19.570439 |
10+: | ¥17.618369 |
100+: | ¥14.161961 |
500+: | ¥11.635559 |
1000+: | ¥9.640978 |
2000+: | ¥9.066708 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥19.57