FQB4N20TM

制造商编号:
FQB4N20TM
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 200V 3.6A D2PAK
规格说明书:
FQB4N20TM说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: QFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.4 欧姆 @ 1.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 220 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.13W(Ta),45W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK(TO-263)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 800

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型号 品牌 参考价格 说明
FQD4N20TM onsemi ¥5.76000 类似

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