TK6A65W,S5X

制造商编号:
TK6A65W,S5X
制造商:
Toshiba东芝
描述:
MOSFET N-CH 650V 5.8A TO220SIS
规格说明书:
TK6A65W,S5X说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
50 14.676586 733.83

规格参数

属性 参数值
制造商: Toshiba(东芝)
系列: DTMOSIV
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1 欧姆 @ 2.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 180µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 390 pF @ 300 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 30W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220SIS
封装/外壳: TO-220-3 整包
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
R6004KNX Rohm Semiconductor ¥13.44000 类似
R6008FNX Rohm Semiconductor ¥27.96000 类似
STP9NK65ZFP STMicroelectronics ¥12.90000 直接

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TK6A65W,S5X

型号:TK6A65W,S5X

品牌:Toshiba东芝

描述:MOSFET N-CH 650V 5.8A TO220SIS

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