- 制造商编号：
- TSM60NB380CP ROG
- 制造商：
- Taiwan Semiconductor台湾积体电路
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 9.5A TO252
- 规格说明书：
- TSM60NB380CP ROG说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥41.254585 | ￥41.25 |
| 10 | ￥37.020955 | ￥370.21 |
| 100 | ￥30.329332 | ￥3032.93 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 380 毫欧 @ 2.85A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 19.4 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 795 pF @ 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 83W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TO-252，（D-Pak） |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装: | 2,500 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STD15N60M2-EP | STMicroelectronics | ¥15.28000 | 类似 |
| IPD60R360P7SAUMA1 | Infineon Technologies | ¥8.83000 | 类似 |
TSM60NB380CP ROG
型号：TSM60NB380CP ROG
品牌：Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述：MOSFET N-CH 600V 9.5A TO252
库存：0
单价：
| 1+： | ￥41.254585 |
| 10+： | ￥37.020955 |
| 100+： | ￥30.329332 |
| 500+： | ￥25.818383 |
| 5000+： | ￥23.32994 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥41.25