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货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| 二极管类型: | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: | 200 V |
| 电流 - 平均整流 (Io): | 1A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1 V @ 1 A |
| 速度: | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 5 µA @ 200 V |
| 不同 Vr、F 时电容: | 10pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | T-18，轴向 |
| 供应商器件封装: | TS-1 |
| 工作温度 - 结: | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装: | 5,000 |
1T3G R0G
型号：1T3G R0G
品牌：Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述：DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1
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