货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | IXYS(艾赛斯) |
系列: | - |
包装: | 管件 |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | 6 N-沟道(3 相桥) |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 75V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 110A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 4.9 毫欧 @ 60A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 115nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | - |
功率 - 最大值: | - |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 17-SMD,鸥翼 |
供应商器件封装: | ISOPLUS-DIL™ |
标准包装: | 1 |
GWM120-0075X1-SMDSAM
型号:GWM120-0075X1-SMDSAM
品牌:IXYS艾赛斯
描述:MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00