GWM120-0075X1-SMDSAM

制造商编号:
GWM120-0075X1-SMDSAM
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS
规格说明书:
GWM120-0075X1-SMDSAM说明书

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封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: 6 N-沟道(3 相桥)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 75V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 110A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.9 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 115nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
功率 - 最大值: -
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 17-SMD,鸥翼
供应商器件封装: ISOPLUS-DIL™
标准包装: 1

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GWM120-0075X1-SMDSAM

型号:GWM120-0075X1-SMDSAM

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS

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