货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥8.491957 | ¥8.49 |
10 | ¥7.510538 | ¥75.11 |
100 | ¥5.756407 | ¥575.64 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9.5A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 16 毫欧 @ 9.4A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 26nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1149pF @ 10V |
功率 - 最大值: | 1.28W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SO |
标准包装: | 2,500 |
DMG6898LSDQ-13
型号:DMG6898LSDQ-13
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
库存:0
单价:
1+: | ¥8.491957 |
10+: | ¥7.510538 |
100+: | ¥5.756407 |
500+: | ¥4.550709 |
1000+: | ¥3.640587 |
2500+: | ¥3.299279 |
5000+: | ¥3.102756 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.49