库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.491957 | ￥8.49 |
| 10 | ￥7.510538 | ￥75.11 |
| 100 | ￥5.756407 | ￥575.64 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Diodes(美台) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9.5A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 16 毫欧 @ 9.4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 26nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1149pF @ 10V |
| 功率 - 最大值: | 1.28W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-SO |
| 标准包装: | 2,500 |
DMG6898LSDQ-13
型号：DMG6898LSDQ-13
品牌：Diodes美台
描述：MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
库存：0
单价：
| 1+： | ￥8.491957 |
| 10+： | ￥7.510538 |
| 100+： | ￥5.756407 |
| 500+： | ￥4.550709 |
| 1000+： | ￥3.640587 |
| 2500+： | ￥3.299279 |
| 5000+： | ￥3.102756 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.49