库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥28.162036 | ￥28.16 |
| 10 | ￥25.332156 | ￥253.32 |
| 100 | ￥20.358479 | ￥2035.85 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 15V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 585 毫欧 @ 4.5A，15V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 7V @ 1.38mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 22 nC @ 15 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 645 pF @ 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 125W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | LPTS |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装: | 1,000 |
R6009JNJGTL
型号：R6009JNJGTL
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
库存：0
单价：
| 1+： | ￥28.162036 |
| 10+： | ￥25.332156 |
| 100+： | ￥20.358479 |
| 500+： | ￥16.726757 |
| 1000+： | ￥13.85924 |
| 2000+： | ￥13.033776 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥28.16