库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.515191 | ￥6.52 |
| 10 | ￥5.532939 | ￥55.33 |
| 100 | ￥4.131924 | ￥413.19 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Goford Semiconductor |
| 系列: | - |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 20 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 24.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1253 pF @ 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 3W（Tc） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-DFN（3.15x3.05） |
| 标准包装: | 5,000 |
G12P03D3
型号：G12P03D3
品牌：Goford Semiconductor
描述：P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
库存：0
单价：
| 1+： | ￥6.515191 |
| 10+： | ￥5.532939 |
| 100+： | ￥4.131924 |
| 500+： | ￥3.246306 |
| 1000+： | ￥2.50851 |
| 2000+： | ￥2.28718 |
| 5000+： | ￥2.139618 |
| 10000+： | ￥2.012174 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.52