货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥9.802796 | ¥9.80 |
10 | ¥8.797439 | ¥87.97 |
100 | ¥6.861159 | ¥686.12 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Diodes(美台) |
系列: | Automotive, AEC-Q101 |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 40V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 11.1A(Ta),42A(Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 15 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 10.6nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 805pF @ 20V |
功率 - 最大值: | 2.6W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
供应商器件封装: | PowerDI5060-8 |
标准包装: | 2,500 |
DMTH4011SPDQ-13
型号:DMTH4011SPDQ-13
品牌:Diodes美台
描述:MOSFETDUAL N-CHANPOWERDI5060-8
库存:0
单价:
1+: | ¥9.802796 |
10+: | ¥8.797439 |
100+: | ¥6.861159 |
500+: | ¥5.667863 |
1000+: | ¥4.474646 |
2500+: | ¥4.176333 |
5000+: | ¥4.067853 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.80