货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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5000 | ¥9.80242 | ¥49012.10 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
包装: | 卷带(TR) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 20A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 11.2 毫欧 @ 17A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.2V @ 28µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 53nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4020pF @ 25V |
功率 - 最大值: | 65W |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装,可润湿侧翼 |
封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
供应商器件封装: | PG-TDSON-8-10 |
标准包装: | 5,000 |
IPG20N06S4L11AATMA1
型号:IPG20N06S4L11AATMA1
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET 2N-CH 8TDSON
库存:0
单价:
5000+: | ¥9.80242 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00