STG3P2M10N60B

制造商编号:
STG3P2M10N60B
制造商:
ST意法半导体
描述:
IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
规格说明书:
STG3P2M10N60B说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

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规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: SEMITOP®
包装: 散装
零件状态: 停产
IGBT 类型: -
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 19 A
功率 - 最大值: 56 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V @ 15V,7A
电流 - 集电极截止(最大值): 10 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 720 pF @ 25 V
输入: 单相桥式整流器
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SEMITOP®2
供应商器件封装: SEMITOP®2
标准包装: 15

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STG3P2M10N60B

型号:STG3P2M10N60B

品牌:ST意法半导体

描述:IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2

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