US6T4TR

制造商编号:
US6T4TR
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
TRANS PNP 12V 3A TUMT6
规格说明书:
US6T4TR说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV @ 30mA,1.5A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 @ 500mA,2V
功率 - 最大值: 1 W
频率 - 跃迁: 280MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
供应商器件封装: TUMT6
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
DSL12AW-7 Diodes Incorporated ¥3.07000 类似

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型号:US6T4TR

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:TRANS PNP 12V 3A TUMT6

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