2SJ656

制造商编号:
2SJ656
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET P-CH 100V 18A TO220ML
规格说明书:
2SJ656说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 75.5 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 74 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4200 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2W(Ta),30W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220ML
封装/外壳: TO-220-3 整包
标准包装: 100

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型号 品牌 参考价格 说明
IXTP18P10T IXYS ¥18.89000 类似

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品牌:ON安森美

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