IPG20N10S4L22AATMA1

制造商编号:
IPG20N10S4L22AATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
规格说明书:
IPG20N10S4L22AATMA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 16.801536 16.80
10 15.039313 150.39
100 11.723004 1172.30

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: OptiMOS™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 27nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1755pF @ 25V
功率 - 最大值: 60W
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装,可润湿侧翼
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: PG-TDSON-8-10
标准包装: 5,000

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IPG20N10S4L22AATMA1

型号:IPG20N10S4L22AATMA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8

库存:0

单价:

1+: ¥16.801536
10+: ¥15.039313
100+: ¥11.723004
500+: ¥9.683909
1000+: ¥8.494613
5000+: ¥8.494613

货期:1-2天

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