库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥2.520819 | ￥2520.82 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Sanken(三垦电气株式会社) |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 不适用于新设计 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 75 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 46A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 13.6 毫欧 @ 22.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 650µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 36.2 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2520 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 90W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220-3 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 标准包装: | 50 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| DMT6009LCT | Diodes Incorporated | ¥7.30000 | 类似 |
| FDP16AN08A0 | Rochester Electronics, LLC | ¥5.61071 | 类似 |
| IXTP70N075T2 | IXYS | ¥20.81000 | 类似 |
| IRF1010EPBF | Infineon Technologies | ¥12.83000 | 类似 |
EKI07174
型号：EKI07174
品牌：Sanken三垦电气株式会社
描述：MOSFET N-CH 75V 46A TO-220
库存：0
单价：
| 1000+： | ￥2.520819 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00