SQJB40EP-T1_GE3

制造商编号:
SQJB40EP-T1_GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
规格说明书:
SQJB40EP-T1_GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 13.080116 13.08
10 11.697503 116.98
100 9.120148 912.01

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 35nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1900pF @ 25V
功率 - 最大值: 34W
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 双
标准包装: 3,000

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SQJB40EP-T1_GE3

型号:SQJB40EP-T1_GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

库存:0

单价:

1+: ¥13.080116
10+: ¥11.697503
100+: ¥9.120148
500+: ¥7.533923
1000+: ¥5.947834
3000+: ¥5.947772

货期:1-2天

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单价:¥0.00总价:¥13.08