库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥273.121855 | ￥273.12 |
| 10 | ￥251.853207 | ￥2518.53 |
| 100 | ￥215.067645 | ￥21506.76 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | Trench |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 660A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 0.85 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 860 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±15V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 44000 pF @ 25 V |
| FET 功能: | 电流检测 |
| 功率耗散（最大值）: | 1040W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 供应商器件封装: | SOT-227B |
| 封装/外壳: | SOT-227-4，miniBLOC |
| 标准包装: | 10 |
IXTN660N04T4
型号：IXTN660N04T4
品牌：IXYS艾赛斯
描述：MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B
库存：0
单价：
| 1+： | ￥273.121855 |
| 10+： | ￥251.853207 |
| 100+： | ￥215.067645 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥273.12