货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥4.587987 | ¥4.59 |
10 | ¥3.723854 | ¥37.24 |
100 | ¥2.538065 | ¥253.81 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | SUPERECTIFIER® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
二极管类型: | 标准 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): | 600 V |
电流 - 平均整流 (Io): | 1A |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.1 V @ 1 A |
速度: | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 10 µA @ 600 V |
不同 Vr、F 时电容: | 8pF @ 4V,1MHz |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | DO-213AB,MELF(玻璃) |
供应商器件封装: | DO-213AB |
工作温度 - 结: | -65°C ~ 175°C |
标准包装: | 1,500 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
1N6663US | Microchip Technology | ¥159.28000 | 类似 |
1N5619US | Microchip Technology | ¥44.62000 | 类似 |
1N5618US | Microchip Technology | ¥55.99000 | 类似 |
1N6482-E3/96
型号:1N6482-E3/96
品牌:Vishay威世
描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
库存:0
单价:
1+: | ¥4.587987 |
10+: | ¥3.723854 |
100+: | ¥2.538065 |
500+: | ¥1.903281 |
1500+: | ¥1.427498 |
3000+: | ¥1.308521 |
7500+: | ¥1.22922 |
10500+: | ¥1.189557 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.59