SE10FJHM3/I

制造商编号:
SE10FJHM3/I
制造商:
Vishay威世
描述:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
规格说明书:
SE10FJHM3/I说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.488519 4.49
10 3.380688 33.81
100 2.103511 210.35

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.05 V @ 1 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 780 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: 7.5pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-219AB
供应商器件封装: DO-219AB(SMF)
工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C
标准包装: 10,000

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SE10FJHM3/I

型号:SE10FJHM3/I

品牌:Vishay威世

描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB

库存:0

单价:

1+: ¥4.488519
10+: ¥3.380688
100+: ¥2.103511
500+: ¥1.439161
1000+: ¥1.10706
2000+: ¥0.996352
5000+: ¥0.940985
10000+: ¥0.857978
30000+: ¥0.830289

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