库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥13.746712 | ￥13.75 |
| 10 | ￥12.289971 | ￥122.90 |
| 100 | ￥9.585311 | ￥958.53 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | DeepGATE™, STripFET™ VI |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 11A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 7.5 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 250µA（最小） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 17 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1690 pF @ 24 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2W（Ta），50W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PowerFlat™（3.3x3.3） |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 标准包装: | 3,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RQ3E130BNTB | Rohm Semiconductor | ¥4.38000 | 类似 |
| NTTFS4941NTWG | onsemi | ¥4.59057 | 类似 |
| SI7112DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | ¥14.05000 | 类似 |
| FDMC7680 | onsemi | ¥5.41543 | 类似 |
STL11N3LLH6
型号：STL11N3LLH6
品牌：ST意法半导体
描述：MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
库存：0
单价：
| 1+： | ￥13.746712 |
| 10+： | ￥12.289971 |
| 100+： | ￥9.585311 |
| 500+： | ￥7.918265 |
| 1000+： | ￥6.630075 |
| 3000+： | ￥6.630075 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥13.75