FDP65N06

制造商编号:
FDP65N06
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3
规格说明书:
FDP65N06说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 20.055348 20.06
10 18.027433 180.27
100 14.492818 1449.28

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: UniFET™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 65A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 16 毫欧 @ 32.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 43 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2170 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 135W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 1,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
PSMN3R0-60PS,127 Nexperia USA Inc. ¥24.88000 类似
PSMN7R6-60PS,127 Nexperia USA Inc. ¥15.74000 类似

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FDP65N06

型号:FDP65N06

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3

库存:0

单价:

1+: ¥20.055348
10+: ¥18.027433
100+: ¥14.492818
500+: ¥11.907232
1000+: ¥10.824716

货期:1-2天

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