IXFK102N30P

制造商编号:
IXFK102N30P
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 300V 102A TO264AA
规格说明书:
IXFK102N30P说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 140.93229 140.93
10 129.555348 1295.55
100 109.420747 10942.07

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: HiPerFET™, Polar
包装: 散装
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 102A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 33 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 224 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7500 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 700W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-264AA(IXFK)
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
标准包装: 25

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IXFK102N30P

型号:IXFK102N30P

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 300V 102A TO264AA

库存:0

单价:

1+: ¥140.93229
10+: ¥129.555348
100+: ¥109.420747
500+: ¥97.33741
1000+: ¥91.539911

货期:1-2天

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