SI4532DY

制造商编号:
SI4532DY
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 3.9/3.5A 8SOIC
规格说明书:
SI4532DY说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 10.771677 10.77
10 9.620418 96.20
100 7.503698 750.37

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.9A,3.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 65 毫欧 @ 3.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 235pF @ 10V
功率 - 最大值: 900mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRF7309TRPBF Infineon Technologies ¥7.60000 类似

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SI4532DY

型号:SI4532DY

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N/P-CH 30V 3.9/3.5A 8SOIC

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1+: ¥10.771677
10+: ¥9.620418
100+: ¥7.503698
500+: ¥6.198513
1000+: ¥5.19009
2500+: ¥5.190079

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