库存 ：
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）: | 25 V |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): | 4 mA @ 10 V |
| 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): | 5 V @ 0.5 nA |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 5pF @ 10V |
| 功率 - 最大值: | 225 mW |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装: | SOT-23-3（TO-236） |
| 标准包装: | 3,000 |
文档与视频信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 规格书 | BFR30,31LT1 |
| 环保信息 | onsemi REACH |
| PCN 产品变更/停产 | Multiple Devices 01/Oct/2008 |
| HTML 规格书 | BFR30,31LT1 |
| EDA 模型 | BFR30LT1G by Ultra Librarian |
BFR30LT1G
型号：BFR30LT1G
品牌：ON安森美
描述：JFET N-CH 225MW SOT23
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货期：1-2天
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