TPCC8A01-H(TE12LQM

制造商编号:
TPCC8A01-H(TE12LQM
制造商:
Toshiba东芝
描述:
MOSFET N-CH 30V 21A 8TSON
规格说明书:
TPCC8A01-H(TE12LQM说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Toshiba(东芝)
系列: U-MOSV-H
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9.9 毫欧 @ 10.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1900 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 700mW(Ta),30W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-TSON Advance(3.3x3.3)
封装/外壳: 8-VDFN 裸露焊盘
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
CSD17308Q3 Texas Instruments ¥7.68000 类似
NTTFS4C13NTAG onsemi ¥5.53000 类似
RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor ¥3.15000 类似
RQ3E120BNTB Rohm Semiconductor ¥3.61000 类似

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TPCC8A01-H(TE12LQM

型号:TPCC8A01-H(TE12LQM

品牌:Toshiba东芝

描述:MOSFET N-CH 30V 21A 8TSON

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