SI4866BDY-T1-GE3

制造商编号:
SI4866BDY-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 12V 21.5A 8SO
规格说明书:
SI4866BDY-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1+ : 需询价

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5.3 毫欧 @ 12A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 80 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5020 pF @ 6 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),4.45W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装: 2,500

客服

购物车

SI4866BDY-T1-GE3

型号:SI4866BDY-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 12V 21.5A 8SO

库存:0

单价:

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00