CSD17578Q3A

制造商编号:
CSD17578Q3A
制造商:
TI德州仪器
描述:
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
规格说明书:
CSD17578Q3A说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 6.212237 6.21
10 5.497545 54.98
100 4.214974 421.50

规格参数

属性 参数值
制造商: TI(德州仪器)
系列: NexFET™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.3 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 22.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1590 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.2W(Ta),37W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-VSONP(3x3.3)
封装/外壳: 8-PowerVDFN
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
TSM055N03PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation ¥11.60000 类似

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CSD17578Q3A

型号:CSD17578Q3A

品牌:TI德州仪器

描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON

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1+: ¥6.212237
10+: ¥5.497545
100+: ¥4.214974
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