库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 30 | ￥211.013436 | ￥6330.40 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Microchip(微芯) |
| 系列: | POWER MOS V® |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 100A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 20 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V @ 2.5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 110 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 6850 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | T-MAX™ [B2] |
| 封装/外壳: | TO-247-3 变式 |
| 标准包装: | 1 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IXTH130N20T | IXYS | ¥70.50000 | 类似 |
APT20M20B2FLLG
型号：APT20M20B2FLLG
品牌：Microchip微芯
描述：MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX
库存：0
单价：
| 30+： | ￥211.013436 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00