货期: 国内(1~2天)
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥12.321668 | ¥12.32 |
10 | ¥11.028577 | ¥110.29 |
100 | ¥8.6003 | ¥860.03 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Toshiba(东芝) |
系列: | U-MOSVIII-H |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 40A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 10.4 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 300µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 23 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1700 pF @ 30 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 30W(Tc) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220SIS |
封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
标准包装: | 50 |
TK40A06N1,S4X
型号:TK40A06N1,S4X
品牌:Toshiba东芝
描述:MOSFET N-CH 60V 40A TO220SIS
库存:70
单价:
1+: | ¥12.321668 |
10+: | ¥11.028577 |
100+: | ¥8.6003 |
500+: | ¥7.104467 |
1000+: | ¥5.608783 |
2000+: | ¥5.234869 |
5000+: | ¥5.098895 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥12.32